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2024

21. 산소주입과 플라즈마 처리를 통한 화합물반도체 성장방법, 10-2024-0038843 (2024.03.21)

2023

20. 그래핀 양자점을 포함하는 자동차 후미등, 10-2023-0164666 (2023.11.23)

19. 3차원 나노구조 기반 수광층, 10-2023-0100667 (2023.08.01)

18. 초고감도 가스센서 제작을 위한 나노와이어-양자점 헤테로 구조 제작법, 10-2023-0078975 (2023.06.20)

17. 다중선택성 플라즈몬 기반 가스센서를 위한 다파장공명 금속나노구조 제작방법, 10-2023-0016278 (2023.02.27)

16. 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막 및 이를 포함하는 반도체 소자 (10-2489736, 2023.01.13)

2022

15. ​나노프리즘을 이용한 가스센서 제작방법 및 이를 이용한 가스센서, 10-2022-0154643 (2022.11.17)

14. 상온에서 동작 가능한 질소산화물 검출용 가스 센서 및 이의 제조방법, 10-2022-0117009 (2022.09.16)

2021

13. 원자층증착법을 이용한 산소유도 고양자효율 다중양자우물층 성장방법, 10-2021-0027123 (2021.03.02)

2020

12. 광대역 플렉서블 스트레인 다채널 센서 측정 및  분석장비, 10-2020-0109501

11. 질화물 박막 및 그 제조방법 10-2020-0109222

2017

10. Method of growing nitride semiconductor layer, US13733632

2016

9. Method of growing nitride semiconductor layer and nitride semiconductor formed by the same, US14505181

8. Methods of growing nitride semiconductors and methods of manufacturing nitride semiconductor substrates, US14590548

2015

7. Method of manufacturing nitride semiconductor device, US14522152

6. Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same, US13771411

5. Method of manufacturing large area gallium nitride substrate, US13743634

4. Methods of growing nitride semiconductors and methods of manufacturing nitride semiconductor substrates, US13599602

2013

3. Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device, US13098165

2011

2. Method of manufacturing semiconductor light emitting device, US12585492

2010

1. Light emitting device using a micro-rod and method of manufacturing a light emitting device, US12461415

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