Students
Graduate
Ph.D candidates
Master candidates
Advanced neuromorphic semiconducting device Laboratory
The Lee Research Group
Undergraduate
Alumni
2024
25. 양극성 2차원 텔루렌 FET 기반의 전자 소자 및 이의 제조방법, 10-2024-0115649 (2024.08.28)
24. 양극성(Ambipolar) 특성을 가지는 2차원 텔루렌 FET 소자 및 이의 제조방법, 10-2024-0115652 (2024.08.28)
23. LSPR 기반의 실리콘 측면 pn 접합 다이오드 단일 광자 검출기, 10-2024-0094523 (2024.07.17)
22. LEP기반 고방사 백색광원 제작방법, 10-2024-0041883 (2024.03.27)
21. 산소주입과 플라즈마 처리를 통한 화합물반도체 성장방법, 10-2024-0038843 (2024.03.21)
2023
20. 그래핀 양자점을 포함하는 자동차 후미등, 10-2023-0164666 (2023.11.23)
19. 3차원 나노구조 기반 수광층, 10-2023-0100667 (2023.08.01)
18. 초고감도 가스센서 제작을 위한 나노와이어-양자점 헤테로 구조 제작법, 10-2023-0078975 (2023.06.20)
17. 다중선택성 플라즈몬 기반 가스센서를 위한 다파장공명 금속나노구조 제작방법, 10-2023-0016278 (2023.02.27)
16. 다중양자우물 구조를 포함하는 박막의 제조방법, 다중양자우물 구조를 포함하는 박막 및 이를 포함하는 반도체 소자 (10-2489736, 2023.01.13)
2022
15. 나노프리즘을 이용한 가스센서 제작방법 및 이를 이용한 가스센서, 10-2022-0154643 (2022.11.17)
14. 상온에서 동작 가능한 질소산화물 검출용 가스 센서 및 이의 제조방법, 10-2022-0117009 (2022.09.16)
2021
13. 원자층증착법을 이용한 산소유도 고양자효율 다중양자우물층 성장방법, 10-2021-0027123 (2021.03.02)
2020
12. 광대역 플렉서블 스트레인 다채널 센서 측정 및 분석장비, 10-2020-0109501
11. 질화물 박막 및 그 제조방법 10-2020-0109222
2017
10. Method of growing nitride semiconductor layer, US13733632
2016
2015
7. Method of manufacturing nitride semiconductor device, US14522152
6. Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same, US13771411
5. Method of manufacturing large area gallium nitride substrate, US13743634
2013
2011
2. Method of manufacturing semiconductor light emitting device, US12585492
2010
1. Light emitting device using a micro-rod and method of manufacturing a light emitting device, US12461415